濺射鍍膜有多種方式。其中歸納起來(lái)，1～5是按電極結(jié)構(gòu)分類(lèi)，即根據(jù)電極結(jié)構(gòu)、電極的相對(duì)位置及濺射鍍膜的過(guò)程，可以分為直流二極濺射、直流三極濺射、直流四極濺射、磁控濺射、對(duì)向靶濺射、ECR濺射等。6～12是在這些基本濺射鍍膜的基礎(chǔ)上，為適應(yīng)制作各種薄膜的要求所做的進(jìn)一步改進(jìn)。反應(yīng)濺射就是在A(yíng)r中加人反應(yīng)氣體，如N2、O2、CH4、C2H2等，可制備靶材料的氮化物、氧化創(chuàng)、碳化物等化合物薄膜；偏壓濺射就是在成膜的基板上施加幾百伏的負(fù)偏壓，可使膜層致密、改善膜層的性能；射頻濺射是在射頻電壓作用下，利用電子和離子運(yùn)動(dòng)特征的不同，在靶的表面感應(yīng)出負(fù)的直流脈沖，而產(chǎn)生濺射現(xiàn)象，能對(duì)絕緣體進(jìn)行濺射鍍膜。
濺射電源：DC 1～7kV 0.15～1.5mA/cm2，RF0.3～10kW 1～10W/cm2,Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2),特點(diǎn): 構(gòu)造簡(jiǎn)單，在大面積的基板上可以制取均勻的薄膜，放電電流流隨氣壓和電壓的變化而變化。Ar氣壓／Pa(或Torr): 6.65 x 10-2～1.33 x 10-1 (5 x 10-4～1 x 10-3)特點(diǎn): 可實(shí)現(xiàn)低氣壓、低電醫(yī)濺射，放電電流和轟擊靶的離子能量可獨(dú)立調(diào)節(jié)控制?？勺詣?dòng)控制靶的電流。也可進(jìn)行射頻濺射。濺射電源： 0.2～1kV（高速低溫）3～30W/cm2Ar氣壓／Pa(或Torr): 10～10-6 (約10-1～10-8)特點(diǎn): 在與靶表面平行的方向上施加磁場(chǎng)，利用電場(chǎng)和磁場(chǎng)相互垂直的磁控管原理減少電子對(duì)基的轟擊(降低基板溫度)，使高速濺射成為可能。對(duì)Cu來(lái)說(shuō)，濺射沉積速率為1.8μm/min時(shí)，溫升為2℃／μm。CU的自濺射可在10-6Pa(10-8Pa)的低壓下進(jìn)行。濺射電源：采用磁控靶Dc或RF 0.2～1kV 3～30W/cm2Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33 x 10-1～1.33 x 10-3(10-3～10-5)特點(diǎn): 兩個(gè)靶對(duì)向布置，在直于靶的表面方向加上磁場(chǎng)，基板位于磁場(chǎng)之外?？梢詫?duì)磁性材料行高速低溫濺射。Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33 x 10-3(10-5)特點(diǎn): 采用ECR等離子體，可在高真空中進(jìn)行各種濺射沉積。靶可以做得很小。Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2)特點(diǎn): 開(kāi)始是為了制取絕緣I體如石英、玻璃、Al2O3的薄膜而研制的。也可射鍍制金屬膜。靶表面加磁場(chǎng)可以進(jìn)行磁控射頻濺射。濺射電源：在基片上施加0～500V范圍內(nèi)的相對(duì)于陽(yáng)極的正的或負(fù)的電位Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2)特點(diǎn): 在鍍膜過(guò)程中同時(shí)清除基板上輕質(zhì)量的帶電粒子，從而使基板中不含有不純氣體(如H20、N2等殘留氣體等）。濺射電源： AC1～5KV 0.1～2mA/cm2Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2)特點(diǎn): 振幅大的半周期內(nèi)靶進(jìn)行濺射，在振幅小的半周期內(nèi)對(duì)基板進(jìn)行離子轟擊，清除吸附的氣體，從而獲得高純的薄膜。濺射電源：DC 1～5KV 0.15～1.5mA/cm2 RF0.3～10KW 1～１0W/cm2Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2)特點(diǎn): 利用吸氣靶濺射粒子的吸氣作用，除去不純物的氣體。能獲得純度高的薄膜。濺射電源：靶表面的磁通密度 50mT,7～10A ,φ100mm靶Ar氣壓／Pa(或Torr):≈0（啟動(dòng)時(shí)1.33 x 10-1(10-3)）特點(diǎn): 濺射時(shí)不用氬氣，沉積速率高(達(dá)數(shù)μm/min)，被濺射原子飛行軌跡呈束狀(便于大深徑比微細(xì)孔的埋入)，目前僅限于Cu、Ag的自濺射。濺射電源：DC 0.2～7KV RF0.3～10KWAr氣壓／Pa(或Torr): 在A(yíng)r中混入適量的活性氣體，如N2、02等分別制取TiN AlO特點(diǎn): 制作陰極物質(zhì)的化合物薄膜，例如，如果陰極（靶）是鈦，可以制作1TiN.TiC。從原理上講，上述各種方案都可以進(jìn)行反應(yīng)濺射，當(dāng)然9、10兩種方案一般不用于反應(yīng)濺射。濺射電源：出電壓0.5～2.5kV，離子束流10～150mAAr氣壓／Pa(或Torr): 離子源系統(tǒng)10-2～102，濺射室3 x l0-3
特點(diǎn): 在高真空下，利用離子束濺射鍍膜，是非等離子體狀態(tài)下的成膜過(guò)程。靶接地電位也可，丕可以進(jìn)行反應(yīng)離子束濺射。
磁控濺射是在二極濺射、三極濺射、射頻濺射的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新技術(shù)。由于磁控濺射可以在低溫、低損傷的條件下實(shí)現(xiàn)高速沉積，故目前已成為工業(yè)化生產(chǎn)的主要方式。
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