1.    磁控濺射&磁性靶材啟輝問題

a.增強(qiáng)磁場(chǎng)Bn 300-700GS

b.減小靶材厚度2-3mm

c.提高工作氣壓

d.排除靶面臟污

 

2.     降低表面粗糙度

a.熱處理

b.控制工藝參數(shù)

c.機(jī)械拋光

d.化學(xué)拋光

e.電化學(xué)拋光

f.液相法鍍厚的打底層

g.噴涂有機(jī)打底層

 

3.      膜層結(jié)合力

a.清洗

b.烘干

c.等離子清洗

d.過渡層

 

4.     SUPTTER沉積速率慢

a.反應(yīng)濺射：找到遲滯曲線的臨界點(diǎn)，會(huì)加快沉積速率，且膜層質(zhì)量好

b.射頻濺射：提高功率和降低氣壓（如7.5mT）

 

5.     乙炔的引入可能會(huì)在反應(yīng)濺射過程中存在不均勻現(xiàn)象，導(dǎo)致沉積膜層的質(zhì)量在基片上有差異，從而反映出（規(guī)律）彩色條紋

 

6.     長(zhǎng)時(shí)間濺射注意事項(xiàng)

a.冷卻系統(tǒng)

b.屏蔽罩

c.電源滅弧功能

d.襯板耐高溫性能

 

7.     磁控濺射參數(shù)影響

a.其他條件相同，功率密度和時(shí)間對(duì)膜厚的影響近似正比關(guān)系。功率的提高有利于提高膜層的致密度和結(jié)晶情況；時(shí)間的增減影響基片的溫升以及膜層厚度，間接影響結(jié)晶性

b.均勻性：光學(xué)均勻性、電學(xué)均勻性、膜厚均勻性。

c.光譜儀、    四探針、     膜厚測(cè)試儀。

d.直流：平穩(wěn)電位，常規(guī)導(dǎo)電靶材如金屬、ITO,  穩(wěn)定沉積速率高

e.射頻：高頻震蕩，常用13.56MHz，常用于絕緣(SiO2,AL2O3)、半導(dǎo)體、金屬材料，膜層致密，沉積速率低。

 

8.     磁控電源輻射

a.電源輻射是存在的，尤其是射頻電源

b.建議選用進(jìn)口電源（AE等），國(guó)內(nèi)射頻電源反射功率2%，進(jìn)口電源可控制在1W以下

c.電源匹配箱及陰極之間的連線均須屏蔽

d.電源匹配過程輻射泄露最大，因?yàn)槠ヅ洳缓梅瓷涔β试赂咭馕吨瓷湓礁?/span>

e.備孕及孕期，最好遠(yuǎn)離射頻

 

9.     檢測(cè)氧化物膜層中因缺氧出現(xiàn)黑點(diǎn)

a.射頻濺射氧化物一般得出色膜層中會(huì)稍微有些氧元素缺失

b.可沖10%氧氣改善

c.觀察刻蝕跑道，如果與本體顏色一樣可排出此問題，如果刻蝕跑道比本體暗很多，說明缺氧

 

10.  Al的濺射產(chǎn)額較Cu、Gr低

a.濺射產(chǎn)額影響因素：入射離子能量&逸出原子的鍵合能

b.濺射的本質(zhì)：撞擊&逸出

c.撞擊：動(dòng)量越大—產(chǎn)額越高，工業(yè)普遍用Ar(成本&濺射產(chǎn)額綜合考慮)

d.逸出：Al原子小且外層3個(gè)電子、結(jié)合力強(qiáng)，濺射產(chǎn)額較低

e.不同濺射產(chǎn)額在周期表中有規(guī)律的體現(xiàn)

 

11.   磁控濺射直流靶的最大功率密度

a.影響因素：冷卻、靶材、靶材結(jié)構(gòu)

b.舉例：陶瓷/Si 5-8W/c㎡    金屬靶20-40W/c㎡ 

 

12.  塑料鍍膜

A.存在問題

a.吸水性大、放氣量大             

b.非極性、與膜層熱膨脹系數(shù)區(qū)別大

c.本身粗糙度大、耐熱性能差

B.注意事項(xiàng)

a.基材選?。捍植诙鹊汀⒎艢饬可?/span>

b.工藝真空度提高、工藝溫度降低

c.表面預(yù)處理、涂敷底漆如UV有機(jī)涂層、等離子清洗

增加過渡層

 

13.  直流濺射表面小顆粒問題

a.清洗問題

b.腔體粉塵

c.靶材雜質(zhì)

d.電源不匹配，起弧ARC

e.對(duì)于反應(yīng)濺射，可能是氧化不徹底

 

14.  膜厚測(cè)量

a.球磨

b.臺(tái)階