1、真空鍍膜的方法材料:
(1)真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達(dá)到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結(jié)而成薄膜。
(2)陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),保持壓強(qiáng)約1.33~13.3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發(fā)輝光放電,帶正電的氬離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。
(3)化學(xué)氣相沉積:通過熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物,獲得沉積薄膜的過程。
(4)離子鍍:實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合,兼有兩者的工藝特點(diǎn)。表6-9列出了各種鍍膜方法的優(yōu)缺點(diǎn)。
2、光學(xué)鍍膜方法材料
(1)氟化鎂:無色四方晶系粉末,純度高,用其制備光學(xué)鍍膜可提高透過率,不出崩點(diǎn)。
(2)二氧化硅:無色透明晶體,熔點(diǎn)高,硬度大,化學(xué)穩(wěn)定性好。純度高,用其制備高質(zhì)量Si02鍍膜,蒸發(fā)狀態(tài)好,不出現(xiàn)崩點(diǎn)。按使用要求分為紫外、紅外及可見光用。
(3)氧化鋯:白色重質(zhì)結(jié)晶態(tài),具有高的折射率和耐高溫性能,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,純度高,用其制備高質(zhì)量氧化鋯鍍膜,不出崩點(diǎn)。